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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 11mA |
Vgs(最大): | +15V, -4V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | TO-247-4L |
系列: | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
功率耗散(最大): | 149W (Tc) |
封裝/箱體: | TO-247-4 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | Not Applicable |
製造商標準交貨期: | 26 Weeks |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1864pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 87nC @ 15V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 15V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 900V |
詳細說明: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 63A (Tc) |
Email: | [email protected] |