| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 11mA |
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| Technológia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247-4L |
| Sorozat: | C3M™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| Teljesítményleadás (Max): | 149W (Tc) |
| Csomagolás / tok: | TO-247-4 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | Not Applicable |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1864pF @ 600V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 15V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 15V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 900V |
| Részletes leírás: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
