| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1.2mA |
| Vgs (Max): | +18V, -8V |
| Technológia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-247-3 |
| Sorozat: | C3M™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Teljesítményleadás (Max): | 54W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 600V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.5nC @ 15V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 15V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 900V |
| Részletes leírás: | N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
