| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 3.5V @ 11mA |
| Vgs (maks): | +15V, -4V |
| Teknologi: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-247-4L |
| Serie: | C3M™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| Strømdissipasjon (maks): | 149W (Tc) |
| Pakke / tilfelle: | TO-247-4 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | Not Applicable |
| Produsentens Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1864pF @ 600V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 87nC @ 15V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 15V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 900V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
