| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Vgs (maks): | +19V, -8V |
| Teknologi: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-247-4L |
| Serie: | C3M™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Strømdissipasjon (maks): | 119W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-247-4 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1350pF @ 1000V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 51nC @ 15V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 15V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 1200V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 1200V 30.8A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 30.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
