| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 5mA |
| Vgs (Maks.): | +19V, -8V |
| teknoloji: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247-4L |
| Dizi: | C3M™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Güç Tüketimi (Max): | 119W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-4 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 26 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 51nC @ 15V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 15V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1200V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 1200V 30.8A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 30.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
