| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 11mA |
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247-4L |
| Série: | C3M™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| Dissipação de energia (Max): | 149W (Tc) |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-4 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | Not Applicable |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 26 Weeks |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1864pF @ 600V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 15V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 900V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
