| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 11mA |
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| Tecnología: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247-4L |
| Serie: | C3M™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| La disipación de energía (máximo): | 149W (Tc) |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-4 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | Not Applicable |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1864pF @ 600V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 87nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
| Descripción detallada: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
