| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5V @ 11mA |
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| Technika: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247-4L |
| Série: | C3M™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| Ztráta energie (Max): | 149W (Tc) |
| Paket / krabice: | TO-247-4 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | Not Applicable |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1864pF @ 600V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 15V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 15V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 900V |
| Detailní popis: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
