| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 11mA |
| Vgs (макс.): | +15V, -4V |
| Технологии: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-247-4L |
| Серии: | C3M™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 149W (Tc) |
| Упаковка /: | TO-247-4 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | Not Applicable |
| Стандартное время изготовления: | 26 Weeks |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1864pF @ 600V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 87nC @ 15V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 900V |
| Подробное описание: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
