| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 11mA |
| فغس (ماكس): | +15V, -4V |
| تكنولوجيا: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-4L |
| سلسلة: | C3M™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 149W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-247-4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1864pF @ 600V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 87nC @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 15V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
