APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
Artikelnummer:
APT65GP60L2DQ2G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 600V 198A 833W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
61871 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
APT65GP60L2DQ2G.pdf

Einführung

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Spezifikation

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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Testbedingung:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:30ns/90ns
Schaltenergie:605µJ (on), 895µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Leistung - max:833W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:PT
Gate-Ladung:210nC
detaillierte Beschreibung:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
Strom - Collector Pulsed (Icm):250A
Strom - Kollektor (Ic) (max):198A
Email:[email protected]

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