APT66F60B2
APT66F60B2
Artikelnummer:
APT66F60B2
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
32681 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
APT66F60B2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max):1135W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:13190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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