APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
部品型番:
APT65GP60L2DQ2G
メーカー:
Microsemi
説明:
IGBT 600V 198A 833W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
61871 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
APT65GP60L2DQ2G.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.7V @ 15V, 65A
試験条件:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:30ns/90ns
エネルギーの切り替え:605µJ (on), 895µJ (off)
シリーズ:POWER MOS 7®
電力 - 最大:833W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-264-3, TO-264AA
他の名前:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:PT
ゲートチャージ:210nC
詳細な説明:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
電流 - コレクタパルス(ICM):250A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):198A
Email:[email protected]

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