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APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
Modello di prodotti:
APT65GP60L2DQ2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 600V 198A 833W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61871 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT65GP60L2DQ2G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Condizione di test:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:30ns/90ns
di scambio energetico:605µJ (on), 895µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:833W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
Altri nomi:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
carica gate:210nC
Descrizione dettagliata:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm):250A
Corrente - collettore (Ic) (max):198A
Email:[email protected]

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Parti relative per APT65GP60L2DQ2G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 Inchiesta
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