| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1135W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 13190pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | Inchiesta |
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APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
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APT60S20B2CTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX | Inchiesta |
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APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
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APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | Inchiesta |
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APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | Inchiesta |
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APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
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APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Inchiesta |
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APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Inchiesta |
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APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | Inchiesta |
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APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Inchiesta |
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APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
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APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | Inchiesta |
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APT60S20SG/TR | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK | Inchiesta |
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APT60S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 | Inchiesta |
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APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Inchiesta |
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APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | Inchiesta |
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APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
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APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Inchiesta |
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APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |