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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APT65GP60J
APT65GP60J
APT65GP60J
Modello di prodotti:
APT65GP60J
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 600V 130A 431W SOT227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
46356 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT65GP60J.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:431W
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:7.4nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
Descrizione dettagliata:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Cutoff collettore (max):1mA
Corrente - collettore (Ic) (max):130A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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