| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 40A |
| Condizione di test: | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 21ns/133ns |
| di scambio energetico: | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Potenza - Max: | 520W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 29 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 298nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B] |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 202A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 121A |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Inchiesta |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
 |
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | Inchiesta |
 |
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | Inchiesta |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Inchiesta |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
 |
APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | Inchiesta |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | Inchiesta |
|
APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | Inchiesta |
|
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Inchiesta |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
|
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Inchiesta |
 |
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | Inchiesta |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Inchiesta |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
|
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Inchiesta |