| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3.2V @ 15V, 70A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 543W |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Termistore NTC: | No |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 7.26nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1.1mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 112A |
| Configurazione: | Single |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Inchiesta |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
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APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | Inchiesta |
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APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
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APT75DL120HJ | Microsemi | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Inchiesta |
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APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
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APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
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APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Inchiesta |
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APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
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APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
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APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Inchiesta |
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APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
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APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
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APT75DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Inchiesta |
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APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Inchiesta |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
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APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Inchiesta |
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APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
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APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Inchiesta |
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APT75DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | Inchiesta |