| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
| VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 65A |
| Điều kiện kiểm tra: | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C: | 30ns/90ns |
| chuyển đổi năng lượng: | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Loạt: | POWER MOS 7® |
| Power - Max: | 833W |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-264-3, TO-264AA |
| Vài cái tên khác: | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kiểu đầu vào: | Standard |
| Loại IGBT: | PT |
| cổng phí: | 210nC |
| miêu tả cụ thể: | IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole |
| Hiện tại - Collector xung (Icm): | 250A |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 198A |
| Email: | [email protected] |
