Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
Modelo do Produto:
APT65GP60L2DQ2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 600V 198A 833W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
61871 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT65GP60L2DQ2G.pdf
inquérito

Introdução

APT65GP60L2DQ2G melhor preço e entrega rápida.
BOSER Technology é o distribuidor para APT65GP60L2DQ2G, temos as ações para o transporte imediato e também está disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor, envie-nos o seu plano de compra para APT65GP60L2DQ2G por e-mail, nós lhe daremos um melhor preço de acordo com o seu plano.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Condição de teste:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:30ns/90ns
Alternando Energia:605µJ (on), 895µJ (off)
Série:POWER MOS 7®
Power - Max:833W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-264-3, TO-264AA
Outros nomes:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:210nC
Descrição detalhada:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
Atual - Collector Pulsada (ICM):250A
Atual - Collector (Ic) (Max):198A
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para APT65GP60L2DQ2G

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK inquérito
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 inquérito
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 inquérito
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 inquérito
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 inquérito
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX inquérito
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX inquérito
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 inquérito
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK inquérito
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 inquérito
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 inquérito
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX inquérito
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 inquérito
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 inquérito
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 inquérito
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 inquérito
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 inquérito
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 inquérito
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 inquérito
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 inquérito

Latest Notícias