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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
Modelo do Produto:
APT68GA60B2D40
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 600V 121A 520W TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
49067 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT68GA60B2D40.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 40A
Condição de teste:400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:21ns/133ns
Alternando Energia:715µJ (on), 607µJ (off)
Série:POWER MOS 8™
Power - Max:520W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:29 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:198nC
Descrição detalhada:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
Atual - Collector Pulsada (ICM):202A
Atual - Collector (Ic) (Max):121A
Email:[email protected]

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