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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
APT68GA60B2D40
Modèle de produit:
APT68GA60B2D40
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 600V 121A 520W TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
49067 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT68GA60B2D40.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 40A
Condition de test:400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:21ns/133ns
énergie de commutation:715µJ (on), 607µJ (off)
Séries:POWER MOS 8™
Puissance - Max:520W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:198nC
Description détaillée:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):202A
Courant - Collecteur (Ic) (max):121A
Email:[email protected]

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