| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 40A |
| Condition de test: | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 21ns/133ns |
| énergie de commutation: | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-264 [L] |
| Séries: | POWER MOS 8™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 22ns |
| Puissance - Max: | 520W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-264-3, TO-264AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 29 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | PT |
| gate charge: | 198nC |
| Description détaillée: | IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L] |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 202A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 121A |
| Email: | [email protected] |
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
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APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Enquête |
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