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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT6M100K
APT6M100K
Modèle de produit:
APT6M100K
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63905 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APT6M100K.pdf2.APT6M100K.pdf
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introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220 [K]
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max):225W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1410pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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