| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-220 [K] |
| серия: | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 3A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 225W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-220-3 |
| Други имена: | APT6M100KMI APT6M100KMI-ND |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1410pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 1000V |
| Подробно описание: | N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K] |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Изображение | Номер на частта | Производители | описание | изглед |
|---|---|---|---|---|
 |
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Разследване |
 |
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Разследване |
 |
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Разследване |
|
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Разследване |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Разследване |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | Разследване |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | Разследване |
 |
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Разследване |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Разследване |
|
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Разследване |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | Разследване |
|
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Разследване |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Разследване |
|
APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Разследване |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Разследване |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Разследване |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Разследване |
 |
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | Разследване |
|
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Разследване |
|
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Разследване |