Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - IGBT - единични > APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
Номер на частта:
APT65GP60L2DQ2G
Производител:
Microsemi
описание:
IGBT 600V 198A 833W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
61871 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
APT65GP60L2DQ2G.pdf
Разследване

Въведение

APT65GP60L2DQ2G най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за APT65GP60L2DQ2G, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за APT65GP60L2DQ2G по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Напрежение - Разпределение на излъчвателя на колектора (макс.):600V
Vce (включено) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 65A
Тестово състояние:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (включено / изключено) @ 25 ° C:30ns/90ns
Превключване на енергия:605µJ (on), 895µJ (off)
серия:POWER MOS 7®
Мощност - макс:833W
Опаковка:Tube
Пакет / касета:TO-264-3, TO-264AA
Други имена:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
Работна температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Тип на въвеждане:Standard
Тип IGBT:PT
Зареждане на порта:210nC
Подробно описание:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
Текущ - колектор пулсиращ (Icm):250A
Ток - колектор (Ic) (макс.):198A
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за APT65GP60L2DQ2G

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK Разследване
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 Разследване
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 Разследване
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 Разследване
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 Разследване
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX Разследване
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX Разследване
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 Разследване
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK Разследване
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Разследване
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 Разследване
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX Разследване
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 Разследване
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Разследване
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 Разследване
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 Разследване
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 Разследване
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Разследване
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 Разследване
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 Разследване

Latest News