| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة: | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 21ns/133ns |
| تحويل الطاقة: | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 [L] |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 22ns |
| السلطة - ماكس: | 520W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 29 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 198nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 202A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 121A |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | تحقيق |
 |
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | تحقيق |
 |
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | تحقيق |
 |
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | تحقيق |
|
APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | تحقيق |
 |
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | تحقيق |
|
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | تحقيق |
 |
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | تحقيق |
|
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | تحقيق |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | تحقيق |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | تحقيق |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | تحقيق |
|
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | تحقيق |
|
APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | تحقيق |
|
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | تحقيق |
|
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | تحقيق |
|
APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | تحقيق |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |