| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | T-MAX™ [B2] |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 33A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1135W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| اسماء اخرى: | APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 23 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13190pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 330nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | تحقيق |
 |
APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | تحقيق |
 |
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | تحقيق |
|
APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | تحقيق |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | تحقيق |
|
APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | تحقيق |
 |
APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | تحقيق |
|
APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | تحقيق |
 |
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | تحقيق |
|
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | تحقيق |
|
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | تحقيق |
|
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | تحقيق |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | تحقيق |
 |
APT60S20SG/TR | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK | تحقيق |
|
APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | تحقيق |
|
APT70GR120B2 | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | تحقيق |
|
APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | تحقيق |
|
APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | تحقيق |
|
APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | تحقيق |
|
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | تحقيق |