| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 900V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.1V @ 15V, 38A |
| اختبار حالة: | 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 18ns/131ns |
| تحويل الطاقة: | 1857µJ (on), 2311µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 500W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | APT64GA90BMI APT64GA90BMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 29 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 162nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B] |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 193A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 117A |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | تحقيق |
 |
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | تحقيق |
|
APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | تحقيق |
|
APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | تحقيق |
|
APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | تحقيق |
 |
APT60N60SCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | تحقيق |
 |
APT60N60BCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | تحقيق |
|
APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | تحقيق |
|
APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | تحقيق |
 |
APT60S20B2CTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX | تحقيق |
|
APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | تحقيق |
|
APT60N60SCSG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | تحقيق |
|
APT60M75L2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX | تحقيق |
 |
APT60S20SG/TR | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK | تحقيق |
|
APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | تحقيق |
 |
APT60S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 | تحقيق |
|
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | تحقيق |
 |
APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | تحقيق |
|
APT60M80JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 | تحقيق |
|
APT60M80L2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | تحقيق |