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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT70GR65B2SCD30
APT70GR65B2SCD30
Modelo do Produto:
APT70GR65B2SCD30
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
63297 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT70GR65B2SCD30.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V, 70A
Condição de teste:433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:19ns/170ns
Embalagem do dispositivo fornecedor:T-MAX™ [B2]
Série:*
Power - Max:595W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de IGBT:NPT
portão de carga:305nC
Descrição detalhada:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
Atual - Collector Pulsada (ICM):260A
Atual - Collector (Ic) (Max):134A
Email:[email protected]

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