| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Serie: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 55A, 10V |
| Leistung - max: | 180W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | i4-Pac™-5 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 8600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 150V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 53A |
| Basisteilenummer: | FMM |
| Email: | [email protected] |
