| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Seria: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 20 mOhm @ 55A, 10V |
| Moc - Max: | 180W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | i4-Pac™-5 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 8600pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 150V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 53A |
| Podstawowy numer części: | FMM |
| Email: | [email protected] |
