| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Leverandør Enhetspakke: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Serie: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 55A, 10V |
| Strøm - Maks: | 180W |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | i4-Pac™-5 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 8600pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| FET Type: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-funksjonen: | Standard |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 150V |
| Detaljert beskrivelse: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 53A |
| Basenummer: | FMM |
| Email: | [email protected] |
