| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Série: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 55A, 10V |
| Power - Max: | 180W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | i4-Pac™-5 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 8600pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 150V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 53A |
| Číslo základní části: | FMM |
| Email: | [email protected] |
