| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Loạt: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 20 mOhm @ 55A, 10V |
| Power - Max: | 180W |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | i4-Pac™-5 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 8600pF @ 25V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Loại FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Standard |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 150V |
| miêu tả cụ thể: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 53A |
| Số phần cơ sở: | FMM |
| Email: | [email protected] |
