TK12V60W,LVQ
TK12V60W,LVQ
型號:
TK12V60W,LVQ
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
35163 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
TK12V60W,LVQ.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:3.7V @ 600µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:4-DFN-EP (8x8)
系列:DTMOSIV
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:300 mOhm @ 5.8A, 10V
功率耗散(最大):104W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:4-VSFN Exposed Pad
其他名稱:TK12V60WLVQCT
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:890pF @ 300V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:25nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:Super Junction
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
詳細說明:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
電流 - 25°C連續排水(Id):11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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