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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.7V @ 600µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 4-DFN-EP (8x8) |
シリーズ: | DTMOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
電力消費(最大): | 104W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 4-VSFN Exposed Pad |
他の名前: | TK12V60WLVQCT |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 890pF @ 300V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 25nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | Super Junction |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
詳細な説明: | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |