TK12V60W,LVQ
TK12V60W,LVQ
Номер на частта:
TK12V60W,LVQ
Производител:
Toshiba Semiconductor and Storage
описание:
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
35163 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
TK12V60W,LVQ.pdf

Въведение

TK12V60W,LVQ най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за TK12V60W,LVQ, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за TK12V60W,LVQ по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 600µA
Vgs (макс):±30V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:4-DFN-EP (8x8)
серия:DTMOSIV
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 5.8A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):104W (Tc)
Опаковка:Cut Tape (CT)
Пакет / касета:4-VSFN Exposed Pad
Други имена:TK12V60WLVQCT
Работна температура:150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:890pF @ 300V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:25nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):10V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):600V
Подробно описание:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Latest News