| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.7V @ 600µA |
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Dizi: | DTMOSIV |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 104W (Tc) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 4-VSFN Exposed Pad |
| Diğer isimler: | TK12V60WLVQCT |
| Çalışma sıcaklığı: | 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 890pF @ 300V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | Super Junction |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 11.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
