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TK12E60W,S1VX
TK12E60W,S1VX
部品型番:
TK12E60W,S1VX
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
65210 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
TK12E60W,S1VX.pdf
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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS（TH）（最大）:3.7V @ 600µA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:300 mOhm @ 5.8A, 10V
電力消費（最大）:110W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:890pF @ 300V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:25nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Super Junction
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:600V
詳細な説明:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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