TK12E60W,S1VX
TK12E60W,S1VX
Artikelnummer:
TK12E60W,S1VX
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
65210 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
TK12E60W,S1VX.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 600µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 5.8A, 10V
Verlustleistung (max):110W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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