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TK12A60U(Q,M)
TK12A60U(Q,M)
部品型番:
TK12A60U(Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
56308 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.TK12A60U(Q,M).pdf2.TK12A60U(Q,M).pdf
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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS（TH）（最大）:5V @ 1mA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220SIS
シリーズ:DTMOSII
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:400 mOhm @ 6A, 10V
電力消費（最大）:35W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
他の名前:TK12A60U(Q)
TK12A60U(Q)-ND
TK12A60U(QM)
TK12A60UQ-ND
TK12A60UQM
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:720pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:14nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:600V
詳細な説明:N-Channel 600V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:12A (Ta)
Email:[email protected]

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