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TK12Q60W,S1VQ
TK12Q60W,S1VQ
型號:
TK12Q60W,S1VQ
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
57109 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
TK12Q60W,S1VQ.pdf
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簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:3.7V @ 600µA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-PAK
系列:DTMOSIV
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:340 mOhm @ 5.8A, 10V
功率耗散（最大）:100W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Stub Leads, IPak
其他名稱:TK12Q60WS1VQ
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:890pF @ 300V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:25nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:Super Junction
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:600V
詳細說明:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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