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首  頁 > 產品展示 > 分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單 > TK12E80W,S1X
TK12E80W,S1X
型號:
TK12E80W,S1X
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
66179 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
TK12E80W,S1X.pdf
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簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:4V @ 570µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220
系列:DTMOSIV
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:450 mOhm @ 5.8A, 10V
功率耗散（最大）:165W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:TK12E80W,S1X(S
TK12E80WS1X
工作溫度:150°C
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:1400pF @ 300V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:23nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:800V
詳細說明:N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
電流 - 25°C連續排水（Id）:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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