RN1113MFV,L3F
型號:
RN1113MFV,L3F
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
82027 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
RN1113MFV,L3F.pdf

簡單介紹

RN1113MFV,L3F最優惠的價格和快速交貨。
BOSER Technology 是RN1113MFV,L3F的經銷商,我們有立即發貨的股票,也可供長期供應。請通過電子郵件將您的RN1113MFV,L3F購買計劃發送給我們,我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
我們的電子郵箱:[email protected]

產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 500µA, 5mA
晶體管類型:NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:VESM
系列:-
電阻器 - 基座(R1):47 kOhms
功率 - 最大:150mW
封裝/箱體:SOT-723
其他名稱:RN1113MFVL3F
安裝類型:Surface Mount
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
詳細說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:120 @ 1mA, 5V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):100mA
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求