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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1113MFV,L3F
RN1113MFV,L3F
Modèle de produit:
RN1113MFV,L3F
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
82027 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
RN1113MFV,L3F.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:VESM
Séries:-
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:150mW
Package / Boîte:SOT-723
Autres noms:RN1113MFVL3F
Type de montage:Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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