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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 500µA, 5mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | VESM |
シリーズ: | - |
抵抗器 - ベース(R1): | 47 kOhms |
電力 - 最大: | 150mW |
パッケージ/ケース: | SOT-723 |
他の名前: | RN1113MFVL3F |
装着タイプ: | Surface Mount |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 120 @ 1mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |