RN1113MFV,L3F
部品型番:
RN1113MFV,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
82027 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
RN1113MFV,L3F.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 500µA, 5mA
トランジスタ型式:NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:VESM
シリーズ:-
抵抗器 - ベース(R1):47 kOhms
電力 - 最大:150mW
パッケージ/ケース:SOT-723
他の名前:RN1113MFVL3F
装着タイプ:Surface Mount
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):120 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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