RN1113MFV,L3F
Osa numero:
RN1113MFV,L3F
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
82027 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
RN1113MFV,L3F.pdf

esittely

RN1113MFV,L3F paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on RN1113MFV,L3F: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille RN1113MFV,L3F: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:VESM
Sarja:-
Vastus - pohja (R1):47 kOhms
Virta - Max:150mW
Pakkaus / Case:SOT-723
Muut nimet:RN1113MFVL3F
Asennustyyppi:Surface Mount
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit