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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > RN1113MFV,L3F
RN1113MFV,L3F
Modello di prodotti:
RN1113MFV,L3F
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
82027 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RN1113MFV,L3F.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:VESM
Serie:-
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potenza - Max:150mW
Contenitore / involucro:SOT-723
Altri nomi:RN1113MFVL3F
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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